SJ 50033.64-1995 半导体分立器件.3CD010型低频大功率晶体管详细规范
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ID： |
BA0C582BB750456E9CCC45CD4449B7FD |
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文件大小(MB)： |
0.53 |
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页数： |
11 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5961 SJ 50033/64-1995,半导体分立哭件,3CD010型低频大鼻晶体管,详细规范,semiconductor discrete device,Detail specification for type 3CD010,Low - frequency and high — power transistor,1995-05-25 发布1995-12-01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体分立器件,3CD010型低频大功率晶体管,详细规范,Semiconductor discrete device,Detail cpecification for type 3CD010,LoW*frequency and high -power transistor,SJ 50033/64-1995,1范围,1-1主题内容,本规范规定了 3CD010B.F型低频大功率晶体管（以下简称器件）的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研究、生产和采购,1.3 分类,本规范根据器件质量保证等级进行分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33《半导体分立器件总规范》1.3的规定,提供的质量保证等级为普军、特军和超特,军三级,分别用字母GP.GT和GCT表示,2引用文件,GB 4587-84双极型晶体管测试方法,GB 7581-87半导体分立器件外形尺寸,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128—86半导体分立器件试验方法,3要求,3.1 详细要求,各项要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构和外形尺寸,器件的设计、结构和外形尺寸应按GJB 33和本规范的规定,3.2.1 引出端材料和涂层,引出端材料应为可伐。引出端表面应为锡层或银层,中华人民共和国电子工业部1995-05-25发布1995-12-01 实施,1,SJ 50033/64-1995,3.2.2 器件结构,采用扩散台面或外延台面结构,3.2.3 外形尺寸,外形尺寸应符合GB 758I的B2-O1B型及如下的规定。见图!o,R),-G,1 一基板,2i发射极,集电极接外变,3.3最大额定值和主要电特性,rtlm,潭B2-01B,min nom max,A 9.8,他1,52,軻エQ.9 1J,虹) 15,0,d ョ.Q丒,F 3.0,L &5 10,5,レ1.5,超4,0 4.2,q 22.8 23.2,% 9.5,& 4,3,S 13 .ド,5 31.4,Ui 19刃,图1 3CD010外形图,廷,3.3.1最大额定值,注:l)TC>25t时按MmW/t的速率线性地降糖,型号,ゼ,丁广25ヒ,(W),ド而,(V),y回,(V),Vebo,(V),几,(A),Ti,￠0,ヘ,(V),3CD01QB,20,100 100,4 1 175 -55-175,3CD010C 150 150,3CD0WD 200 200,3CD0L0E 250 250,3801OF 300 300,2,SJ 50033/64-1995,3.3.2主要电特性（Ta = 251）,\极,型、限,号、,るFE1,Vce = 5V,/c=0.5A;,%￡ Mt,30.5A,(A),Ip - 0.1A,(V),/t,35V,Ic = (MA,片 IMHz,(MHz),セ 曲)j- c,Vce=10V,/c = 0,5A,25
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